オキサイド（6521） – （訂正）「2022年２月期 決算補足説明資料」の一部訂正について

2022 年５月 27 日 会 社 名 株 式 会 社 オ キ サ イ ド 代 表 者 名 代表取締役社長(CEO) 古 川 保 典 （コード番号：6521 東証グロース） 問 合 せ 先 取締役副社長(CFO) 管理本部長 山 本 正 幸 （TEL. 0551-26-0022） （訂正）「2022 年２月期 決算補足説明資料」の一部訂正について 2022 年４月 13 日に公表いたしました「2022 年２月期 決算補足説明資料」において、記載内容の一部に誤りがございましたので、下記のとおりお知らせいたします。 なお、訂正箇所には下線を付して表示しております。 記 １．訂正の理由 ２．訂正の内容 「2022 年２月期 決算補足説明資料」の公表後、記載内容の一部に誤りがある事が判明したため、提出後の「2022 年２月期 決算補足説明資料」の訂正を行うものであります。 別紙をご参照ください。訂正の箇所は下線を付けて表示しております。 各 位 【訂正前】 【訂正後】 ※参考として、上記訂正を反映した「2022 年２月期 決算補足説明資料」を添付いたします。 以 上 株式会社オキサイド2022年2月期決算補足説明資料(6521 東証グロース)2022年4月13日Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.目次2022年2月期 決算業績および通期予想達成率事業別売上高増減率貸借対照表キャッシュフロートピックス2023年2月期 予想事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】計画に対する結果【人員 / 研究開発費 / 設備投資】本資料は当社が発行する有価証券の投資勧誘を目的として作成されたものではありません。本資料に掲載されている事項は、資料作成時点における当社の想定及び所信に基づく見解であり、その情報の正確性及び完全性を保証または約束するものではありません。実際の業績に影響を与えるリスクや経済動向、業界需要などの不確実要因を含んでいます。当社の見込みと実際の業績は異なる場合があります。ご了承ください。Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.1• 業績および通期予想達成率• 事業別売上高増減率• 貸借対照表• キャッシュフロー• トピックス• 事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】• 計画に対する結果【研究開発費 / 設備投資/人員】Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.業績および通期予想達成率2022年2月期 決算 2023年2月期 予想21/2月期22/2月期対前期増減率22/2月期＜通期予想＞通期予想達成率（単位：百万円）32.9%50.5%44.0%63.2%85.5%59.7%4,8101,5831,02755411.5%57846828998.9%102.9%100.4%107.6%103.5%105.9%93.0%売上高売上総利益販管費営業利益営業利益率経常利益当期純利益減価償却費のれん償却額減価償却費合計3,5791,08371736510.2%322310286224622864,7561,6301,03359612.5％5984952692680269減価償却費合計*1*1 減価償却費にはのれん償却額含みます。21/2月期22/2月期Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.3• 業績および通期予想達成率• 事業別売上高増減率• 貸借対照表• キャッシュフロー• トピックス• 事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】• 計画に対する結果【研究開発費 / 設備投資/人員】Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.事業別売上高増減率2022年2月期 決算 2023年2月期 予想（単位：百万円）Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.5• 業績および通期予想達成率• 事業別売上高増減率• 貸借対照表• キャッシュフロー• トピックス• 事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】• 計画に対する結果【研究開発費 / 設備投資/人員】Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.貸借対照表2022年2月期 決算 2023年2月期 予想Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.7• 業績および通期予想達成率• 事業別売上高増減率• 貸借対照表• キャッシュフロー• トピックス• 事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】• 計画に対する結果【研究開発費 / 設備投資/人員】Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.キャッシュフロー2022年2月期 決算 2023年2月期 予想（単位：百万円）■営業C/F■投資C/F■財務C/F4431,375 △ 84922/2月期Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.9• 業績および通期予想達成率• 事業別売上高増減率• 貸借対照表• キャッシュフロー• トピックス• 事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】• 計画に対する結果【研究開発費 / 設備投資/人員】Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.トピックス2022年2月期 決算 2023年2月期 予想2021年 4月 5日東京証券取引所マザーズ上場5月28日第21回定時株主総会6月18日6月24日7月2日GaN薄膜成長用 新材料単結晶基板「SAM」サンプル出荷開始についてのプレスリリース新製品 フェムト秒レーザ「OneFive ORIGAMI 03XP-3P」国内販売開始についてのプレスリリース2Qサプライチェーン対策のための国内投資促進事業費補助金（2次公募）採択についてのプレスリリース９月14日新市場区分「グロース市場」選択に関するプレスリリース10月14日株式会社UJ-Crystalとの資本業務提携に関するプレスリリース10月14日通期業績予想の上方修正に関するプレスリリース2022年 ２月25日グリーンイノベーション基金事業採択に関するプレスリリース２月25日第5工場建設に関するプレスリリースCopyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.1Q3Q4Q1111グリーンイノベーション基金事業(GIF)2022年2月期 決算 2023年2月期 予想グリーンイノベーション基金事業、「次世代デジタルインフラの構築」プロジェクト超高品質・8インチ・低コストSiCウエハ開発事業の目的・概要事業規模等2030年までに、溶液法とプロセス・インフォマティクス技術を活用したSiC結晶成長技術の開発と、大口径SiCウェハ向け加工・評価技術の開発により、次世代パワー半導体向けの超高品質８インチSiCウェハをデバイスメーカーへ製造・販売して社会実装につなげる。① 溶液成長法による超高品質SiCウェハの開発② 大口径SiCウェハの加工・評価当プロジェクト含む3プロジェクト合算事業規模:約258億円支援規模*:約186億円*インセンティブ額を含む。今後ステージゲートなどで事業進捗などに応じて変更の可能性あり。補助率など:9/10委託→2/3補助→1/2補助(インセンティブ率は 10%) コンソーシアム基礎研究託委再東海国立大学機構名古屋大学大口径化実績AI要素技術開発① 溶液成長法による超高品質② 大口径SiCウェハの加工・評価SiCウェハの開発８インチ高品質SiCウェハ量産技術SiCウェハ量産加工技術・評価技術再委託SiCウェハ製造８インチ高品質N型・P型SiC ウェハ販売国立研究開発法人産業技術総合研究所デバイス社会実装• 三菱電機• 日立製作所等Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.1212プロセス最適化プロセス・インフォマティクス結晶評価・エピ成長EV向けインバータ再生可能エネルギー用インバータ送配電電力変換器GIF –SiC市場の今後2022年2月期 決算 2023年2月期 予想出典：「野村テックマンスリー12月」を基に当社で作成Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.13GIF –経済的安全性の確保2022年2月期 決算 2023年2月期 予想Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.14■ 主要海外メーカー ■ 日系メーカー ■ その他GIF – 溶液法育成のメリット2022年2月期 決算 2023年2月期 予想従来法昇華法新育成法溶液法6インチSiC結晶Si CSiC結晶SiSi溶液Cカーボン坩堝大口径化熱歪みが小さいため大口径化が容易。低欠陥密度温度勾配が小さく欠陥が少ない。長尺化熱歪みの影響も小さいシリコンのように引き上げ成長でもあるため長尺化が容易。成長スピード成長スピードは炭素の供給律速であり、温度勾配を必要としない。Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.1515• 業績および通期予想達成率• 事業別売上高増減率• 貸借対照表• キャッシュフロー• トピックス• 事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】• 計画に対する結果【研究開発費 / 設備投資/人員】Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.事業別説明【光計測・新領域】2022年2月期 決算 2023年2月期 予想20/2月期21/2月期22/2月期（単位：百万円）22/2月期＜通期予想＞B通期予想達成率A/B559104％A579売上高増減率57652593.3% △0.1%10.2%――グローバルニッチマーケット競争優位性が期待できるマスマーケットCopyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.2021年6月24日適時開示2021年6月18日適時開示17事業別説明【半導体】2022年2月期 決算 2023年2月期 予想20/2月期21/2月期22/2月期売上高増減率1,2824.2%1,72934.9%2,46542.6%2,598―（単位：百万円）22/2月期＜通期予想＞BA通期予想達成率A/B95％―半導体ウエハ欠陥検査装置に用いる 当社の製品群光学単結晶紫外レーザCopyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.イメージ写真：半導体ウエハ欠陥検査装置18事業別説明【半導体】-メンテナンス売上高2022年2月期 決算 2023年2月期 予想（単位：百万円）Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.19事業別説明【半導体】-受注高・期末受注残高2022年2月期 決算 2023年2月期 予想（単位：百万円）受注残高受注高Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.20事業別説明【ヘルスケア】-業界動向2022年2月期 決算 2023年2月期 予想Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.21事業別説明【ヘルスケア】2022年2月期 決算 2023年2月期 予想光学単結晶20/2月期21/2月期22/2月期（単位：百万円）22/2月期＜通期予想＞BA通期予想達成率A/B売上高増減率1,20611.7%1,3249.8%1,71129.3%1,652104％――PET検査装置に用いる 当社の製品Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.PET検査装置のしくみ22• 業績および通期予想達成率• 事業別売上高増減率• 貸借対照表• キャッシュフロー• トピックス• 事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】• 計画に対する結果【研究開発費 / 設備投資/人員】Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.計画に対する結果【研究開発費 / 設備投資 / 人員】2022年2月期 決算 2023年2月期 予想Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.242023年2月期 予想・業績予想・事業別売上高予想・その他の計画本資料は当社が発行する有価証券の投資勧誘を目的として作成されたものではありません。本資料に掲載されている事項は、資料作成時点における当社の想定及び所信に基づく見解であり、その情報の正確性及び完全性を保証または約束するものではありません。実際の業績に影響を与えるリスクや経済動向、業界需要などの不確実要因を含んでいます。当社の見込みと実際の業績は異なる場合があります。ご了承ください。Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.25業績予想2022年2月期 決算 2023年2月期 予想（単位：百万円）22/2月期（実績）23/2月期(予想)対前期増減率4,7561,6307183155965984952686,3391,97485741170669548740033.3％21.1％19.3％30.4％18.3%－16.0%△1.8%48.8%12.5%11.1%売上高売上総利益販管費研究開発費営業利益営業利益率経常利益当期純利益減価償却費** 減価償却費にはのれん償却額含むうち横浜事業所移転一時費用：84Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.26事業別売上高予想2022年2月期 決算 2023年2月期 予想（単位：百万円）Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.27事業別売上高予想2022年2月期 決算 2023年2月期 予想（単位：百万円）Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.28半導体事業におけるメンテナンス売上高予想2022年2月期 決算 2023年2月期 予想（単位：百万円）Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.29その他の計画【研究開発費】2022年2月期 決算 2023年2月期 予想Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.3030その他の計画【設備投資】2022年2月期 決算 2023年2月期 予想第4工場2024年2月期 竣工第5工場2022年 6月 着工予定2022年12月 稼働予定第6工場2022年2月 取得横浜事業所2022年5月 移転予定Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.31その他の計画【人員】2022年2月期 決算 2023年2月期 予想Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.32https://www.opt-oxide.comCopyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.質疑応答ご質問をご希望の方は、ご視聴画面の下側にありますボタンを押してください。お電話よりご参加の方については、手を上げることが可能です。を入力していただくことでなお、チャット欄でのご質問はお受けいたしかねます。テキスト形式でのご質問は受け付けておりませんのでご了承ください。Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.AppendixCopyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.事業別説明【光計測・新領域】– SiC単結晶 –SiC単結晶は、従来のSiに比べ、送電時の電力ロスや交流・直流変換時の電力ロスを大幅に削減可能なパワー半導体材料で、カーボンニュートラルに向けた省電力化に極めて重要な材料である。SiCパワー半導体の市場は、2019年で約540億円、2025年で約2,500億円である※1。※1：出所:Yole Developmentのデータを元に経産省が加工（デバイス部門）Si・SiCの物性比較※2：Baliga‘s 性能指数：パワーFET通電効率UJ-Crystalは、国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学宇治原徹教授が中心となり設立された、パワー半導体SiC単結晶の開発、製造、販売を目指すスタートアップ企業で、溶液法を用いてSiC単結晶を育成する。溶液法は、当社が得意としている単結晶育成技術の内、高周波誘導加熱CZ法と技術的親和性が高い。Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.36事業別説明【光計測・新領域】– SiC単結晶 –SiC単結晶の使用例として、電気自動車への搭載が挙げられます。EVの普及は、電力制御用SiCデバイスの需要を加速し、カーボンニュートラルを実現します。・ 応用層EVの普及↓EV充電器の普及↓送配電グリッド化・ 機能層・ 素子層・ 素材層カーボンニュートラル未来基幹送電線基幹送電線ローカルグリッド広域グリッド需要家電力融通＝インバーター需要家送配電とグリッド需要家と需要家車載用インバーター中耐圧半導体Si-IGBT車載用インバーター送配電 電力変換器SiC-MOSFETSiC-IGBTSiSiCCopyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.EV普及が加速するカーボンニュートラルの産業アーキテクチャ37事業別説明【光計測・新領域】– SiC単結晶 –SiC結晶成長法：従来法（昇華法）と溶液法の違いSiC結晶成長法昇華法従来の成長方法。現在、販売されているSiCはすべてこの方法で生産されている。溶液法（TSSG法）名古屋大学が保有するシーズ。世界で6インチのSiC結晶をこの手法で実現できているのは、名古屋大・UJC社のみ。結晶成長の原理原料を高温で昇華させ、種結晶上で再結晶させる。結晶中に温度勾配を形成する：熱歪みがある（結晶成長表面からの抜熱）SiとCを溶解させて種結晶から成長させる。結晶中に温度勾配を形成しない：熱歪みが極めて小さい（結晶成長表面への溶質の物質移動）大口径化大口径化で熱歪みが増加。熱歪みが小さいため大口径化が容易。低欠陥密度欠陥の原因が熱歪みにある。温度勾配が小さく欠陥が少ない。長尺化閉鎖された反応槽での成長であり制限があり。また、長尺化で熱歪みが増加。シリコンのように引き上げ成長でもあるため長尺化が容易。熱歪みの影響も小さい。成長スピード成長スピードの向上には大きな温度勾配が必要。欠陥密度とトレードオフ。成長スピードは炭素の供給律速であり、温度勾配を必要としない。Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.38事業別説明【ヘルスケア】 今後の展望（頭部PETの動向）アルツハイマー型認知症の患者数は、 年々増加しており、2050年には1 億5,200万人に到達すると予想されています。頭部PET検査は、アルツハイマー型認知症の原因物質アミロイドβの検査方法の一つです。米国において、アルツハイマー型認知症の新たな治療薬が承認されました。一方、欧州及び日本においては、現状未承認となっております。2050年（予想）１億5,200万人2030年（予想）8,200万人2018年5,000万人Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.39アルツハイマー型認知症人口（全世界）出所:World Alzheimer Report 2018(国際アルツハイマー病協会)新製品の進捗｜新製品進捗2022年2月期 決算 2023年2月期 予想高品質GaN結晶成長用SAM単結晶基板カーボンニュートラル社会を支える次世代パワーデバイス用高品質GaN結晶成長を実現するSAM結晶テンプレートを提供します。特長：GaN結晶との小さい格子定数差（Δa ~-1.8%）GaN結晶に近い熱膨張係数 (Δκ ~0.6×10-6 K-1）劈開剥離を利用したテンプレート再使用容易性アプリケーション：パワーデバイス用GaNバルク結晶用テンプレート青色レーザー用InGaNバルク結晶用テンプレート進捗：SAM基板をGaN基板メーカに提供、高品質GaN成長を実証SAM Bulk CrystalGaN on SAMTemplate(MOVPE) GaN on SAMSelf standing(HVPE)Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.40新製品の進捗｜新製品進捗微細加工用紫外フェムト秒レーザ2022年2月期 決算 2023年2月期 予想スマートフォン等、電子機器の発展に伴いレーザによるマイクロ加工技術が望まれています。従来の課題であった”微細化”や”被加工対象へのダメージ低減“を可能とする紫外フェムト秒レーザを開発し、製品化しました。フェムト秒レーザ加工特長：加工部への熱的影響が小さい赤外、可視、紫外の3波長を同一のレーザヘッドから出力できるため、被加工材料に適した波長選択が可能アプリケーション：高精細ディスプレイ製造プロセス（MicroLED、OLED向けリペア加工、トリミング、薄膜除去)Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.加工用フェムト秒レーザ41新製品開発｜新製品開発微細加工用”深紫外”フェムト秒レーザディスプレイの高精細化が進展し、さらに波長が短いマイクロ加工用レーザが求められています。昨年リリースした紫外（343nm）に加え、深紫外フェムト秒レーザ（257nm）を開発し、製品化しました。特長：短波長化によるミクロンオーダーの超微細加工深紫外光の高いエネルギーによる難加工材料や透明材料への加工を実現2022年2月期 決算 2023年2月期 予想フェムト秒レーザ加工アプリケーション：MicroLED、OLED等の高精細ディスプレイ製造新製品：深紫外フェムト秒レーザCopyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.本レーザはデンマークNKT Photonics社との共同開発製品です。42事業別説明【光計測・新領域】– UVフェムト秒レーザ出荷 –• NKT Photonics社との業務提携による共同開発製品化第一弾となります。• 波長を同一レーザヘッドから出力することができます。• PC制御での波長選択が可能です。NKT Photonics社製赤外フェムト秒レーザ「ORIGAMI」当社製「高信頼性波長変換モジュール」OneFiveORIGAMI03XP-3P様々な分野での微細加工用レーザとしての応用が期待されています。ディスプレイ製造プロセス集積回路、電子回路基板太陽電池医療用デバイスCopyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.43発表製品超短パルスレーザ : 4機種(2機種追加)NKT Photonics社との共同開発製品ORIGAMI-基本波レーザ( NKTP)波長変換モジュール(OXIDE)波長変換モジュール(OXIDE)① UVフェムト秒レーザ ( 3波長出力)② UVフェムト秒レーザ( 1or2波長出力)21年6月発表22年4月発表343nm /515nm/1030nm257nm /515nm/1030nm343nm257nm ③ DUVフェムト秒レーザ(3波長出力) ④ DUVフェムト秒レーザ (1or2波長出力)Copyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.44半導体医療パワー半導体結晶と光で社会に貢献するCrystal Miracles by OXIDEディスプレイ自動運転５GCopyright: 2022 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.