オキサイド（6521） – 2022年２月期　第３四半期決算補足説明資料

2022年2月期第3四半期 決算補足説明資料株式会社オキサイド(6521 東証マザーズ)2022年1月13日2022年2月期第3四半期決算・業績および進捗・事業別売上構成・今期のこれまでのトピックス・事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】・今期計画に対する進捗【人員 / 研究開発費 / 設備投資】本資料は当社が発行する有価証券の投資勧誘を目的として作成されたものではありません。本資料に掲載されている事項は、資料作成時点における当社の想定及び所信に基づく見解であり、その情報の正確性及び完全性を保証または約束するものではありません。実際の業績に影響を与えるリスクや経済動向、業界需要などの不確実要因を含んでいます。当社の見込みと実際の業績は異なる場合があります。ご了承ください。2・業績および進捗・事業別売上構成・今期のこれまでのトピックス・事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】・今期計画に対する進捗【人員 / 研究開発費 / 設備投資】業績および進捗率売上高売上総利益販管費営業利益営業利益率営業外損益経常利益通期予想4,8101,5831,02755411.5%25578289減価償却費合計Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.1Q2Q3Q1,1541,2981,120381258122612961434219215121664（単位：百万円）3Q 累計進捗率（通期予想比）3,5721,2197244953499194403246157-41526874.3%77.0%70.5%89.4%12.0%86.3%67.1%410.6%16.6%14.0%13.9%・業績および進捗・事業別売上構成・今期のこれまでのトピックス・事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】・今期計画に対する進捗【人員 / 研究開発費 / 設備投資】事業別売上構成 第3四半期累計ヘルスケア（単位：百万円）436(12%)1,366(38%)合計売上高3,572百万円光計測・新領域半導体1,770 (50%)Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.6・業績および進捗・事業別売上構成・今期のこれまでのトピックス・事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】・今期計画に対する進捗【人員 / 研究開発費 / 設備投資】今期のこれまでのトピックス2021年 4月 5日東京証券取引所マザーズ上場5月28日第21回定時株主総会6月18日6月24日GaN薄膜成長用 新材料単結晶基板「SAM」サンプル出荷開始についてのプレスリリース新製品 フェムト秒レーザ「OneFive ORIGAMI 03XP-3P」国内販売開始についてのプレスリリース7月2日サプライチェーン対策のための国内投資促進事業費補助金（2次公募）採択についてのプレスリリース９月14日新市場区分「グロース市場」選択に関するプレスリリース10月14日株式会社UJ-Crystalとの資本業務提携に関するプレスリリースCopyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.1Q2Q3Q88UJ-Crystalとの資本業務提携 –溶液法によるSiC単結晶株式会社UJ-Crystal（以下、UJC社）は、国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学 宇治原徹教授が中心となり設立された、パワー半導体SiC単結晶の開発、製造、販売を目指すスタートアップ企業です。名古屋大学およびUJC社は、SiC結晶を溶液法で育成できる技術を保有しています。溶液法は、Si融液中にCを溶解させ、種結晶からSiC結晶を成長させる技術です。熱歪みが小さいため、大口径化が容易で、育成中の結晶内温度勾配が小さく欠陥が少ない特長があります。溶液法は、当社が得意としている単結晶育成技術の内、CZ法と技術的親和性が高い手法です。カーボン坩堝結晶成長Si溶媒溶液法による育成の概要図Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.6インチSiC結晶9・業績および進捗・事業別売上構成・今期のこれまでのトピックス・事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】・今期計画に対する進捗【人員 / 研究開発費 / 設備投資】事業別説明【光計測・新領域】通期予想3Q累計（単位：百万円）進捗率（通期予想比）売上高55943678.0%グローバルニッチマーケット競争優位性が期待できるマスマーケットCopyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.6月24日適時開示6月18日適時開示11事業別説明【半導体】光学単結晶通期予想3Q累計（単位：百万円）進捗率（通期予想比）売上高2,5981,77068.1%半導体ウエハ欠陥検査装置に用いる 当社の製品群光学単結晶紫外レーザCopyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.イメージ写真：半導体ウエハ欠陥検査装置12事業別説明【ヘルスケア】光学単結晶通期予想3Q累計売上高1,6521,36682.7%（単位：百万円）進捗率（通期予想比）PET検査装置に用いる 当社の製品Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.PET検査装置のしくみ13・業績および進捗・事業別売上構成・今期のこれまでのトピックス・事業別説明【光計測・新領域 / 半導体 / ヘルスケア】・今期計画に対する進捗【人員 / 研究開発費 / 設備投資】今期計画に対する進捗【人員】進捗率79.5％1Q20名3Q9名2Q6名通期計画：44名Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.15今期計画に対する進捗【研究開発費】（単位：百万円）1Q1012Q51進捗率64.0％3Q76通期計画： 356Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.16今期計画に対する進捗【設備投資】（単位：百万円）1Q141進捗率35.8％2Q1343Q192通期計画： 1,306Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.17https://www.opt-oxide.comAppendix業績推移（前年同期比）（単位：百万円）2021年2月期3Q2022年2月期3Q前年同期比売上高売上総利益販管費営業利益営業利益率営業外損益経常利益減価償却費合計1,038386154232－15217561,120403246157－415268107.9％104.4%159.9%67.6%ーー70.1%121.8%22.3%14.0%Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.20事業別説明【光計測・新領域】 2Qからの進捗6月18日適時開示パワー半導体｜GaN基板用単結晶開発したGaN基板用単結晶“SAM”について、プレスリリース以降、複数の企業・大学より問い合わせがありました。一部顧客においてはGaN試作のプログラムが始まりました。応用物理学会にて、SAM基板上のGaInNの結晶成長と評価について、名城大学とオキサイドの共著での発表を行いました。MicroLED｜フェムト秒レーザデンマークのNKT Photonics と共同で開発し2021年6月30日より国内において販売開始した紫外(UV)フェムト秒レーザ「OneFiveORIGAMI03XP-3P」は、顧客による評価が進んでいます。6月24日適時開示Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.21事業別説明【光計測・新領域】– SAM※サンプル出荷 –SAMは、半導体材料であるGaN薄膜単結晶（以下GaN）の成長に適した単結晶基板です。※：SAM: ScAlMgO4単結晶基板SAM単結晶SAM単結晶SAMをGaN成長の基板として使うことで、完全性の高い膜を構成することが原理的に可能となり、高性能なGaNデバイスの実現が期待できます。GaNは、青色発光ダイオードとして普及していますが、最近では可視光レーザやパワーデバイス用の半導体材料としても研究開発がすすみ、一部で実用化が始まっております。国内外の複数の機関へサンプル出荷をしています。Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.22事業別説明【光計測・新領域】– UVフェムト秒レーザ出荷 –• NKT Photonics社との業務提携による共同開発製品化第一弾となります。• 波長を同一レーザヘッドから出力することができます。• PC制御での波長選択が可能です。NKT Photonics社製赤外フェムト秒レーザ「ORIGAMI」当社製「高信頼性波長変換モジュール」OneFiveORIGAMI03XP-3P様々な分野での微細加工用レーザとしての応用が期待されています。ディスプレイ製造プロセス集積回路、電子回路基板太陽電池医療用デバイスCopyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.23事業別説明【光計測・新領域】– SiC単結晶 –Si・SiCの物性比較SiC単結晶は、従来のSiに比べ、送電時の電力ロスや交流・直流変換時の電力ロスを大幅に削減可能なパワー半導体材料で、カーボンニュートラルに向けた省電力化に極めて重要な材料である。SiCパワー半導体の市場は、2019年で約540億円、2025年で約2,500億円である※1。※1：出所:Yole Developmentのデータを元に経産省が加工（デバイス部門）※2：Baliga‘s 性能指数：パワーFET通電効率UJ-Crystalは、国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学宇治原徹教授が中心となり設立された、パワー半導体SiC単結晶の開発、製造、販売を目指すスタートアップ企業で、溶液法を用いてSiC単結晶を育成する。溶液法は、当社が得意としている単結晶育成技術の内、高周波誘導加熱CZ法と技術的親和性が高い。Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.24事業別説明【光計測・新領域】– SiC単結晶 –SiC単結晶の使用例として、電気自動車への搭載が挙げられます。EVの普及は、電力制御用SiCデバイスの需要を加速し、カーボンニュートラルを実現します。・ 応用層EVの普及↓EV充電器の普及↓送配電グリッド化・ 機能層・ 素子層・ 素材層カーボンニュートラル未来基幹送電線基幹送電線ローカルグリッド広域グリッド需要家電力融通＝インバーター需要家送配電とグリッド需要家と需要家車載用インバーター中耐圧半導体Si-IGBT車載用インバーター送配電 電力変換器SiC-MOSFETSiC-IGBTSiSiCCopyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.EV普及が加速するカーボンニュートラルの産業アーキテクチャ25事業別説明【光計測・新領域】– SiC単結晶 –SiC結晶成長法：従来法（昇華法）と溶液法の違いSiC結晶成長法昇華法従来の成長方法。現在、販売されているSiCはすべてこの方法で生産されている。溶液法（TSSG法）名古屋大学が保有するシーズ。世界で6インチのSiC結晶をこの手法で実現できているのは、名古屋大・UJC社のみ。結晶成長の原理原料を高温で昇華させ、種結晶上で再結晶させる。結晶中に温度勾配を形成する：熱歪みがある（結晶成長表面からの抜熱）SiとCを溶解させて種結晶から成長させる。結晶中に温度勾配を形成しない：熱歪みが極めて小さい（結晶成長表面への溶質の物質移動）大口径化大口径化で熱歪みが増加。熱歪みが小さいため大口径化が容易。低欠陥密度欠陥の原因が熱歪みにある。温度勾配が小さく欠陥が少ない。長尺化閉鎖された反応槽での成長であり制限があり。また、長尺化で熱歪みが増加。シリコンのように引き上げ成長でもあるため長尺化が容易。熱歪みの影響も小さい。成長スピード成長スピードの向上には大きな温度勾配が必要。欠陥密度とトレードオフ。成長スピードは炭素の供給律速であり、温度勾配を必要としない。Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.26事業別説明【ヘルスケア】 今後の展望（頭部PETの動向）アルツハイマー型認知症の患者数は、年々増加しており、2050年には1億5,200万人に到達すると予想されています。頭部PET検査は、アルツハイマー型認知症の原因物質アミロイドβの検査方法の一つです。米国において、アルツハイマー型認知症の新たな治療薬が承認されました。一方、欧州及び日本においては、現状未承認となっております。2050年（予想）１億5,200万人2030年（予想）8,200万人2018年5,000万人Copyright: 2021 OXIDE Corporation. All Rights Reserved.27アルツハイマー型認知症人口（全世界）出所:World Alzheimer Report 2018(国際アルツハイマー病協会)半導体医療パワー半導体結晶と光で社会に貢献するCrystal Miracles by OXIDEディスプレイ自動運転５G